RRAM非易失性存储器行业领先
2013-10-12
RRAM不是存储器领域惟一有希望的进展。将来有望与NAND和DRAM竞争的其他种类的非易失性存储器包括:Everspin公司的磁阻式RAM ( MRAM )和相变存储器(PCM)，后者则是三星和美光力推的一种存储器。另外还有赛道存储(Racetrack Memory)、石墨烯存储器(Graphene Memory)和惠普自主开发的RRAM:忆阻器(Memristor )。
格雷格里.王( Gregory Wong )是调研公司 Forward Insights的创始人兼首席分析师，他认为Crossbar的RRAM是一款可行的产品，有一天会叫板NAND，“我所说的NAND还意味着3D NAND.”他说。
赛道存储器至少5年后才会变成可行的产品。王说:“眼下，这项技术看起来像是值得关注的概念。它最终会不会商业化，那是很遥远的事情。”
王继续说:“至于相变存储器.现在已有一些产品。但问题是，它适合存储器市场的哪个领域?眼下，它是NOR存储器的替代品。它的性能和耐用性像NOR存储器，而不是像NAND。"
他说:“其他厂商在大肆宣传RRAM时.一般会受到怀疑.但是我们看Crossbar及其技术后，却觉得值得关注。”
汉迪也认为，采用硅制造的存储器比如Crossbar的RRAM)会继续称霸存储器市场，因为代工厂已经拥有使用硅的生产装备，而硅是一种成本低廉的材料。
汉迪说:“在很长时间内.硅较之更新颖的材料会继续保持主导地位。像Crossbar的这些技术会扮演小众角色，直到3D NAND气数已尽。目前看来，在2D NAND消亡后，3D NAND还有两三代的寿命，而2D NAND工艺再过两三代就将寿终正寝。”
NAND闪存工艺技术一直以来，每隔12个月左右就取得重大进展。比如说，英特尔将由生产19nm 工艺节点改为生产14nm节点。这意味着，19nm工艺两三年后可能会被更新换代。
不过不是所有人都认为3D NAND的寿命如此有限。吉尔.李(Gill Lee)是应用材料公司(Applied Materials)的高级主管兼技术骨干。他认为,3D NAND可能会发展到深度超过100层。应用材料公司专业提供半导体行业生产NAND闪存和RRAM所需的设备。他说:“改用3D让NAND技术得以继续相应缩减尺寸。它能走多远?我认为它能走得相当远。”
李表示，他已经看到过代工厂准备将3D NAND发展到128对或128层的路线图。李表示，第一代3D NAND深24层，紧跟在不到20nm节点2D NAND的后而，但由于密度更高，3D NAND有望将生产存储器的每位成本降低30%左右。
他补充说，至于消费者会看到密度更大的NAND闪存，还是代工厂仅仅会继续生产成本较低、容量相同的存储器，那将取决于这个行业。
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